“异常”金属态导电的弱局化类型描述
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
本文讨论了Si-MOS样品在宽密度范围内（但不接近临界密度n_c）的电阻随温度的变化规律。识别出三种不同的ρ(T)行为域：[i] 量子域（‘低温’），其中对ρ的对数T依赖性（dρ/dT<0）占主导；[ii] 半经典域（‘高温’），其中Drude电阻随T强烈变化（dρ/dT>0）；[iii] 两者之间的准经典区，其中线性T依赖性占主导（dρ/dT>0）。在准经典区及较高密度（n>20×10^11/cm^2）时，ρ(T)在温度T_min处达到最小值。T_min的绝对值及其随密度的变化均符合传统弱局化理论。对于n<~20×10^11/cm^2的密度，理论估计的T_min超出了实验可达的温度范围，这解释了这些密度下数据中未观察到最小值的原因。在整个温度范围（约两档）内，两种半经典效应类似金属态的输运行为。我们的分析表明，ρ(T)在ρ<<h/e^2的区域可依据传统弱局化理论进行现象学描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008004,
title = {Magnetotransport of coupled electron-holes},
author = {Y. Naveh and B. Laikhtman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008004},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures