InAs/GaSb 破隙复合量子阱中体电导的抑制
介观与纳米尺度物理
2014-03-17 v2
摘要
InAs/GaSb 量子阱中的二维拓扑绝缘体态表现为依赖于绝缘体块的拓扑保护螺旋边缘通道输运。本研究探讨了一种通过使用不同杂质浓度的镓源材料来抑制体电导的方法。虽然最高纯度的镓伴随着明显的样品体块导电，但有意掺入杂质可使体电阻超过 1 M。研究发现该电阻与外加磁场无关。此外，还报道了在用于生长锑基样品的分子束外延系统中制造的 GaAs/AlGaAs 结构所具有的超高电子迁移率。
引用
@article{arxiv.1308.3375,
title = {Suppression of bulk conductivity in InAs/GaSb broken gap composite quantum wells},
author = {Christophe Charpentier and Stefan Fält and Christian Reichl and Fabrizio Nichele and Atindra Nath Pal and Patrick Pietsch and Thomas Ihn and Klaus Ensslin and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.3375},
year = {2014}
}