InAs/GaSb量子阱中隐藏的边缘狄拉克点与鲁棒量子边缘输运
介观与纳米尺度物理
2018-01-23 v1
摘要
InAs/GaSb量子阱中量子边缘输运在磁场下的鲁棒性引发了关于时间反演对称性破缺下拓扑相命运的问题。揭示了InAs/GaSb量子阱中特殊的能带结构演化：电子子带穿过重空穴子带但与轻空穴子带反交叉。当系统处于深度反转型时，螺旋边缘态的拓扑保护能带交叉点（狄拉克点）被拉至接近甚至埋入体价带中，这归因于轻空穴子带的存在。由边缘态有效g因子证实的相当大的塞曼能量隙在狄拉克点处通过面内或垂直磁场打开，然而它也可能隐藏在体价带中。这为最近观察到的InAs/GaSb量子阱在强磁场下量子边缘输运的鲁棒性提供了合理的解释。
引用
@article{arxiv.1709.01645,
title = {Hidden edge Dirac point and robust quantum edge transport in InAs/GaSb quantum wells},
author = {Chang-An Li and Song-Bo Zhang and Shun-Qing Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.01645},
year = {2018}
}
备注
8 pages, 4 figures