HgTe基量子阱中拓扑通道网络的输运
介观与纳米尺度物理
2021-12-01 v1
摘要
拓扑绝缘体代表了一种新的物质量子态，其特征是具有边缘或表面态以及体内部的绝缘能隙。在基于临界宽度HgTe量子阱(QW)的二维(2D)系统中，阱宽相对于其平均值的随机偏差导致局部从零能隙2D狄拉克费米子系统跨越到二维拓扑绝缘体或普通绝缘体，沿零能隙线形成复杂的面内螺旋通道网络。我们在实验上研究了临界宽度HgTe量子阱在狄拉克点附近的输运性质，其中电导由沿零能隙线的渗流决定。实验结果证实了有限宽度渗流导电通道的存在。我们的工作确立了临界宽度HgTe量子阱作为研究拓扑与局域化之间相互作用的一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2111.15530,
title = {Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well},
author = {G. M. Gusev and Z. D. Kvon and D. A. Kozlov and E. B. Olshanetsky and M. V. Entin and N. N. Mikhailov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.15530},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 5 figures