利用拓扑绝缘体近邻效应在无拓扑保护材料中产生完美导电通道
介观与纳米尺度物理
2014-11-26 v1
摘要
我们表明，拓扑绝缘体与无拓扑保护材料构成的混合结构可用于在非金属部分产生完美导电通道。这些态从拓扑绝缘体的近邻效应继承了拓扑保护，但由于其扩展特性，对时间反演对称性破缺更为脆弱。我们探讨了这些态在模型混合系统能带结构中的形成，以及涉及基于 HgTe/CdTe 的二维拓扑绝缘体的实际异质结中的形成。通过对 HgTe/CdTe 材料体系进行数值量子输运计算，我们提出了两种实验方案，可通过磁电导和散粒噪声在局域化和扩散区中探测到诱导产生的完美导电通道。
引用
@article{arxiv.1402.1095,
title = {Using Topological Insulator Proximity to Generate Perfectly Conducting Channels in Materials without Topological Protection},
author = {Sven Essert and Viktor Krueckl and Klaus Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.1095},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 9 figures