应变 HgTe：教科书式的三维拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2011-12-12 v1
摘要
拓扑绝缘体可视为具有导电表面的能带绝缘体。表面载流子为 Dirac 粒子，其能量随动量线性增加。这赋予了 Dirac 物质特有的非凡输运性质，Dirac 物质是一类电子性质“类石墨烯”的材料。我们展示了 HgTe——一种已知在薄量子阱中表现出二维自旋霍尔效应的材料[引用 Konig2007]——如何通过利用 CdTe 基衬底上的晶格失配打开应变能隙，从而转变为教科书式的 Dirac 物质实例。输运测量中发现的 Dirac 物质证据表现为：当化学势与 Dirac 点重合时，低场下的 Hall 角发散，以及电导率量子修正的符号。该材料可按需设计，且纯净（迁移率高），在能隙内部体电导贡献很小。
引用
@article{arxiv.1112.2092,
title = {Strained HgTe: a textbook 3D topological insulator},
author = {Clément Bouvier and Tristan Meunier and Philippe Ballet and Xavier Baudry and Roman Bernd Günter Kramer and Laurent Lévy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2092},
year = {2011}
}