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应变体HgTe拓扑表面态的量子霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2015-03-17 v1 材料科学

作者: C. Brüne , C. X. Liu , E. G. Novik , E. M. Hankiewicz , H. Buhmann , Y. L. Chen , X. L. Qi , Z. X. Shen , S. C. Zhang , L. W. Molenkamp

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摘要

我们报道了在CdTe衬底上通过外延生长应变的三维70 nm厚HgTe层的输运研究。应变在原本半金属性的HgTe中诱导出带隙，使其成为三维拓扑绝缘体。在mK温度下，残余体载流子对带隙HgTe层输运性质的贡献可忽略不计。因此，样品表现出由二维单锥狄拉克型拓扑表面态导致的量子化霍尔效应。

关键词

量子霍尔效应拓扑绝缘体 HgTe 表面态应变诱导带隙输运

引用

@article{arxiv.1101.2627,
  title  = {Quantum Hall Effect from the Topological Surface States of Strained Bulk HgTe},
  author = {C. Brüne and C. X. Liu and E. G. Novik and E. M. Hankiewicz and H. Buhmann and Y. L. Chen and X. L. Qi and Z. X. Shen and S. C. Zhang and L. W. Molenkamp},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1101.2627},
  year   = {2015}
}

备注

7 pages, 6 figures