三维拓扑绝缘体 BiSbTeSe$_2$ 中反向传播量子霍尔边缘通道间的相互作用
介观与纳米尺度物理
2017-11-29 v1
摘要
研究了拓扑绝缘体 BiSbTeSe 中的量子霍尔效应。通过在强磁场下施加顶栅和背栅电场，可以独立调节顶部和底部拓扑表面态中 Dirac 锥的 Landau 能级。当一个表面被调节至 Dirac 锥的电子掺杂侧，而另一个表面被调节至空穴掺杂侧时，量子霍尔边缘通道呈反向传播。相反的边缘模式方向，结合顶部和底部表面相反的螺旋度，允许这些反向传播的边缘模式之间发生散射。仅当散射较强时，总霍尔电导才为整数值。对于较弱的相互作用，预期并测量到了非整数量子霍尔效应。
引用
@article{arxiv.1707.07011,
title = {Interaction between counter-propagating quantum Hall edge channels in the 3D topological insulator BiSbTeSe$_2$},
author = {Chuan Li and Bob de Ronde and Artem Nikitin and Yingkai Huang and Mark S. Golden and Anne de Visser and Alexander Brinkman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.07011},
year = {2017}
}