拓扑绝缘体中 Dirac 空穴与电子的观测
材料科学
2011-07-28 v1
摘要
我们展示了在新的拓扑绝缘体化合物 Bi_{1.5}Sb_{0.5}Te_{1.7}Se_{1.3} 中，可以实现表面主导的输运，其中表面通道贡献了高达总电导 70% 的份额。此外，发现在该材料中，输运性质敏锐地反映了表面化学势的时间依赖性，呈现出霍尔系数随时间的符号改变。我们证明，这种演化使我们能够在表面上同时观测到 Dirac 空穴与电子，这使我们能够重构跨越 Dirac 点的表面能带色散。
引用
@article{arxiv.1105.5483,
title = {Observation of Dirac Holes and Electrons in a Topological Insulator},
author = {A. A. Taskin and Zhi Ren and Satoshi Sasaki and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5483},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted for publication in PRL