拓扑绝缘体中的本征表面偶极
介观与纳米尺度物理
2015-10-08 v2 强关联电子
摘要
我们在密度泛函理论框架内计算了两种原型拓扑绝缘体（BiSe和BiTeSe）的局域态密度随距表面距离的变化。我们发现，在无无序或掺杂的情况下，存在一个2 nm厚的表面偶极，其起源是拓扑表面态在狄拉克点以上的占据。结果，导带底在表面附近向上弯曲约75 meV，并且存在一个与价带顶相关的驼峰状特征。我们预期只要费米能级不穿过狄拉克点，带弯曲将出现在所有本征拓扑绝缘体中。我们的结果表明拓扑绝缘体是本征肖特基势垒太阳能电池。
引用
@article{arxiv.1412.8509,
title = {Intrinsic surface dipole in topological insulators},
author = {Benjamin M. Fregoso and Sinisa Coh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.8509},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures, sections rewritten to improve clarity, figure and refs added, results unchanged, published version