Sr掺杂Bi2Se3超导拓扑绝缘体的电子结构
超导电性
2015-10-29 v1
摘要
利用高分辨率角分辨光电子能谱与扫描隧道显微镜/谱，研究了Sr掺杂超导拓扑绝缘体（SrxBi2Se3）的原子与低能电子结构。扫描隧道显微镜显示多数Sr原子不在范德瓦尔斯间隙中。与母体化合物Bi2Se3相比，Sr掺杂后费米能级进一步上移，这与该体系的低载流子密度一致。拓扑表面态被清晰观测到，并在所有掺杂样品中确定了狄拉克点的位置。表面态在动量空间中与体传导带良好分离。分离拓扑表面态的持续性结合小费米能，使该超导材料成为时间反演不变拓扑超导体的极具前景的候选者。
引用
@article{arxiv.1510.08177,
title = {Electronic structure of a superconducting topological insulator Sr-doped Bi2Se3},
author = {C. Q. Han and H. Li and W. J. Chen and Fengfeng Zhu and Meng-Yu Yao and Z. J. Li and M. Wang and Bo F. Gao and D. D. Guan and Canhua Liu and C. L. Gao and Dong Qian and Jin-Feng Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08177},
year = {2015}
}