通过分子束外延将 Sr 引入 Bi2Se3 薄膜
材料科学
2021-03-17 v1 超导电性
摘要
SrxBi2Se3 是一种拓扑超导体候选材料，但其超导性需要将 Sr 嵌入 Bi2Se3 的范德瓦耳斯间隙中。我们报道了通过分子束外延合成 SrxBi2Se3 薄膜，并表征了其结构、振动与电学性质。X 射线衍射与拉曼光谱显示了 Sr 置换合金化进入结构的证据，而输运测量使我们能将 Sr 含量增加与 n 型掺杂增强相关联，但在低至 1.5K 未显现超导性。我们的结果表明 Sr 主要占据五重层内的位点，同时置换 Bi 并作为间隙原子。我们的结果激励未来的密度泛函研究进一步探究 Sr 置换进入 Bi2Se3 的能量学。
引用
@article{arxiv.2011.12755,
title = {Introduction of Sr into Bi2Se3 thin films by molecular beam epitaxy},
author = {L. Riney and C. Bunker and S. -K. Bac and J. Wang and D. Battaglia and Yun Chang Park and M. Dobrowolska and J. K. Furdyna and X. Liu and B. A. Assaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.12755},
year = {2021}
}