Nb$_x$-Bi$_2$Se$_3$ 中的低能激发与非 BCS 超导性
超导电性
2018-10-03 v1
摘要
当 Cu、Sr 和 Nb 等某些元素金属嵌入拓扑绝缘体 BiSe 的层间时,嵌入体系会发生超导,临界温度约为 3 K。自然地,在所有这些情况下,都提出并探索了拓扑超导的可能性。然而,在 Cu 和 Sr 嵌入体系中,低温扫描隧道显微镜(STM)实验揭示了完全形成的能隙,其中未发现低能态的迹象,而低能态是拓扑超导的必要条件。在这里,通过低至 400 mK 的 STM 谱学,我们表明在 Nb-BiSe( = 0.25)中,谱偏离 BCS 类行为,且低偏压下的谱权重很大。我们的观测与 Nb-BiSe 的序参量为节点的观点一致。因此,我们的结果得出结论:与该家族其他成员相比,Nb-BiSe 具有更强的成为拓扑超导体的可能性。
引用
@article{arxiv.1806.11143,
title = {Low-energy excitations and non-BCS superconductivity in Nb$_x$-Bi$_2$Se$_3$},
author = {Anshu Sirohi and Shekhar Das and Prakriti Neha and Karn S. Jat and Satyabrata Patnaik and Goutam Sheet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.11143},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures