拓扑绝缘体转变为超导体中插层的直接证据
材料科学
2012-03-12 v1
摘要
利用高分辨率透射电子显微镜研究了因 Cu 掺杂而显示超导性质的拓扑绝缘体 Bi2Se3，首次直接证明了插层位置的存在。仔细研究表明，当沿 [-1-1 2 0] 方向投影时，该材料中存在两个插层位置。还根据投影势计算了插层单胞的化学计量比。
引用
@article{arxiv.1203.2050,
title = {Direct evidence of intercalation in a topological insulator turned superconductor},
author = {Tanmay Das and Somnath Bhattacharyya and Bhanu Prakash Joshi and A. Thamizhavel and S. Ramakrishnan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.2050},
year = {2012}
}
备注
8 pages double spacing, 7 images