通过点接触谱分析Pb在Bi2Se3中诱导的超导电性

P. Arevalo-López; R. E. López-Romero; R. Escudero

通过点接触谱分析Pb在Bi2Se3中诱导的超导电性

超导电性 2015-12-31 v1

作者: P. Arevalo-López , R. E. López-Romero , R. Escudero

摘要

一些拓扑绝缘体在掺入Cu和Pd后变为超导。非超导体中的超导电性可通过邻近效应诱导：即令非超导体与超导体接触。超导宏观波函数会在正常化合物中诱导电子配对。在最简单的拓扑绝缘体Bi $_2$ Se $_3$ 中，超导可由Pb诱导。我们研究了通过接触Bi $_2$ Se $_3$ 晶体与Pb形成的点接触结，使用银浆粘接压制和/或对Pb施加热以改善接触。结以镀钨金W(Au)丝为一电极，另一电极为 $Bi_2Se_3$ 和Pb。我们研究了电子耦合特性；转变温度 $T_C$ 、能隙 $\Delta$ 随温度的演化以及2 $\Delta$ /K $_B$ T $_C$ 比值。超导体Bi $_2$ Se $_3$ -Pb的表现与经典BCS理论所述不同。在BCS理论中，超导体仅根据形成电子凝聚态的电子相互作用而为弱耦合或强耦合。该区分由上述比值的大小给出。BCS典型值分别为弱耦合和强耦合极限约3.53至4.3。在本研究涉及的Bi $_2$ Se $_3$ -Pb中，我们发现不同于正常值（10至23），表明为极强极限。这些值从未在其他超导体中观察到。所得转变温度在2.7至7 K间变化。本文给出此信息及其他结果。

关键词

超导电性拓扑绝缘体点接触谱邻近效应 BCS理论 Bi2Se3 Pb

引用

@article{arxiv.1512.09098,
  title  = {Pb induces superconductivity in Bi2Se3 analyzed by point contact spectroscopy},
  author = {P. Arevalo-López and R. E. López-Romero and R. Escudero},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1512.09098},
  year   = {2015}
}

备注

These are our new superconducting studies in single crystal of a topological insulator observed by proximity effect induced with Pb

通过点接触谱分析Pb在Bi2Se3中诱导的超导电性

摘要

关键词

引用

备注

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