超导 Sn-Bi₂Se₃ 界面处的邻近效应
超导电性
2012-03-16 v3
摘要
我们研究了 Sn-Bi₂Se₃ 界面结在低至 250 mK 的温度和不同磁场下的电导谱。在 Sn 的超导转变温度以下，观测到若干电导异常现象，包括一个不同于 Sn 的小能隙，以及在更低温度下逐渐增强的零偏压电导峰。我们讨论了该较小能隙和零偏压电导峰的可能起源。这些现象支持了在超导 Sn 与强自旋轨道耦合材料 Bi₂Se₃ 之间的界面处，形成了一个由邻近效应诱导的手性超导相。
引用
@article{arxiv.1105.0229,
title = {Proximity effect at superconducting Sn-Bi2Se3 interface},
author = {Fan Yang and Yue Ding and Fanming Qu and Jie Shen and Jun Chen and Zhongchao Wei and Zhongqing Ji and Guangtong Liu and Jie Fan and Changli Yang and Tao Xiang and Li Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0229},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 8 figures