拓扑绝缘体Bi2Se3在高压下的超导电性
超导电性
2015-06-15 v1 材料科学
摘要
研究了Bi2Se3单晶的压力诱导超导电性和结构演化。在约12 GPa时观察到超导电性的出现，起始转变温度(Tc)约为4.4 K。Tc迅速升高，在16 GPa时达到最高值8.5 K，在21 GPa时降至6.5 K，之后几乎保持不变。发现Tc与压力密切相关，而载流子密度从2 GPa到23 GPa增加了两个多数量级。高压同步辐射测量揭示了分别在约12 GPa、20 GPa和29 GPa以上发生的结构相变。获得了超导电性随压力变化的相图。
引用
@article{arxiv.1303.0224,
title = {Superconductivity of topological insulator Bi2Se3 at high pressures},
author = {P. P. Kong and J. L. Zhang and S. J. Zhang and J. Zhu and Q. Q. Liu and R. C. Yu and Z. Fang and C. Q. Jin and W. G. Yang and X. H. Yu and J. L. Zhu and Y. S. Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.0224},
year = {2015}
}
备注
16 pages