拓扑绝缘体Bi2Te2.1Se0.9中压力诱导的电子拓扑相变与超导性
超导电性
2022-09-30 v3
摘要
发现拓扑超导体的一种途径是在已明确认定的拓扑绝缘体基础上建立超导性。然而，超导态与拓扑态的共存一直晦涩难明。在本文中，我们报道了压力如何调控拓扑绝缘体Bi2Te2.1Se0.9的晶体结构、电子结构与超导性。首次压力诱导的结构相变始于8.4 GPa，随后在高达37 GPa的压力下依次经历R-3m - C2/m - C2/c - Im-3m结构序列。超导性在2.4 GPa开始呈现，Tc约为6.6 K。此外，在约2.5 GPa处，c/a和模的半高全宽（FWHM）的异常变化表明发生了电子拓扑相变（ETT）。这些结果表明，在低压菱方相中ETT极大地促进了拓扑绝缘体Bi2Te2.1Se0.9中的超导性。我们的工作厘清了Bi2Te2.1Se0.9中复杂的电子结构，并为拓扑绝缘体中的超导性新候选者提供了线索。
引用
@article{arxiv.1811.12847,
title = {Pressure-induced electronic topological transition and superconductivity in topological insulator Bi2Te2.1Se0.9},
author = {Lei Kang and Zi-Yu Cao and Bo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.12847},
year = {2022}
}