压力诱导的碲卤化铋 BiTeI 拓扑量子相变与超导电性
超导电性
2017-08-18 v1
摘要
理论上已预测具有巨 Rashba 自旋劈裂的半导体 BiTeI 会发生压力诱导的拓扑量子相变。本工作研究了 BiTeI 和 BiTeBr 在高压下电输运性质的演化。在宽温度范围内，压力依赖的电阻率在约 3 GPa 处经过一个极小值，表明 BiTeI 中发生了预期的相变。在 BiTeI 和 BiTeBr 中均观察到超导电性，而较高温度下的电阻率仍表现出半导体行为。理论计算表明，超导电性可能源自多谷半导体相。超导转变温度 Tc 随施加压力升高而增加，BiTeI 在 23.5 GPa 时达到最大值 5.2 K（BiTeBr 在 31.7 GPa 时达到 4.8 K），随后缓慢下降。我们的结果表明，具有非平庸电子态拓扑的 BiTeX (X = I, Br) 化合物在压缩下展现出新的基态。
引用
@article{arxiv.1610.05364,
title = {Topological quantum phase transition and superconductivity induced by pressure in the bismuth tellurohalide BiTeI},
author = {Yanpeng Qi and Wujun Shi and Pavel G. Naumov and Nitesh Kumar and Raman Sankar and Walter Schnelle and Chandra Shekhar and F. C. Chou and Claudia Felser and Binghai Yan and Sergey A. Medvedev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05364},
year = {2017}
}
备注
Main text + Supplementary Information