$\beta$-Bi$_4$I$_4$ 拓扑绝缘体中的压力效应与超导性
强关联电子
2017-07-05 v1
摘要
我们报道了准一维拓扑绝缘体 -BiI 的输运系数的详细研究。电阻率、热电势、热导率和霍尔系数测量与低温下可能出现电荷密度波序一致。电子和空穴均对 -BiI 中的传导有贡献，且由于随温度变化的载流子密度和迁移率，主导载流子类型随温度变化。在高达2 GPa的静水压下的电阻率和塞贝克系数测量显示电荷密度波序向更高温度移动，表明常压下具有强烈的单维特征。令人惊讶的是，在10 GPa以上，-BiI 中诱导出超导性，具有4.0 K，且在压力增至20 GPa时略微降低。压力处理样品的化学表征显示 -BiI 在压力下非晶化，并排除了在室温条件下分解为 Bi 和 BiI 的可能性。
引用
@article{arxiv.1702.04794,
title = {Pressure effect and Superconductivity in $\beta$-Bi$_4$I$_4$ Topological Insulator},
author = {A. Pisoni and R. Gaal and A. Zeugner and V. Falkowski and A. Isaeva and H. Huppertz and G. Autes and O. V. Yazyev and L. Forro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.04794},
year = {2017}
}
备注
20 pages, 8 figures