Ce$_3$Pd$_3$Bi$_4$中压力诱导的拓扑与金属-绝缘体同步量子相变
强关联电子
2022-02-08 v1
摘要
利用与密度泛函理论耦合的动力学平均场理论，系统研究了CePdBi在18 K至290 K温度范围内随晶胞体积变化的电子性质与磁化率。通过外推至零温，发现常压下CePdBi的基态由于杂化不足而为一关联半金属。施加压力后，杂化强度增加，并在有限温度下观察到向Kondo绝缘体的跨接。标志着Kondo单态形成的特征温度，以及与电子离域-局域化转变相关的特征温度，在临界体积约0.992处同时消失，表明该金属-绝缘体转变可能与量子临界点相关。最后，Wilson环计算表明Kondo绝缘体侧拓扑平庸，因而在量子临界点处也发生了拓扑转变。
引用
@article{arxiv.2202.03292,
title = {Pressure-induced concomitant topological and metal-insulator quantum phase transitions in Ce$_3$Pd$_3$Bi$_4$},
author = {Chenchao Xu and Chao Cao and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.03292},
year = {2022}
}