近藤绝缘体 Ce$_3$Bi$_4$Pt$_3$ 中压力驱动价态升高与金属化
强关联电子
2020-01-01 v2
摘要
我们报道了在近藤绝缘体 CeBiPt 上直至 42 GPa 的高压 X 射线衍射、X 射线吸收与电输运测量结果，这是任一 Ce 基近藤绝缘体研究中达到的最高压力。我们观察到体积随压力平滑减小，且 Ce 价态向中间价态移动，二者均指向电子关联增强。尽管如此，温度依赖的电阻数据显示常压下由相互作用驱动的绝缘基态受到抑制。我们还讨论了这些结果对预言的拓扑近藤绝缘体态的潜在影响。
引用
@article{arxiv.1907.09017,
title = {Pressure-Driven Valence Increase and Metallization in Kondo Insulator Ce$_3$Bi$_4$Pt$_3$},
author = {Daniel J. Campbell and Zachary E. Brubaker and Connor Roncaioli and Prathum Saraf and Yuming Xiao and Paul Chow and Curtis Kenney-Benson and Dmitry Popov and Rena J. Zieve and Jason R. Jeffries and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.09017},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 5 figures