强关联材料FeSi与FeSb$_2$中的异常体绝缘行为
强关联电子
2023-06-07 v1
摘要
基于4电子的拓扑近藤绝缘体因其通过受保护表面态导电、同时在内部表现出异常稳健的绝缘行为而长期被研究。为此，我们研究了基于3的关联绝缘体FeSi和FeSb的电输运，它们与其电子近亲表现出足够的相似性，值得研究。通过使用双面Corbino圆盘输运几何结构，我们给出了这两种铁基材料中表面电导的明确证据。此外，通过使用四端Corbino反电阻技术，我们提取了体电阻率随温度的函数。与拓扑近藤绝缘体SmB类似，FeSi和FeSb的体电阻率被确认从室温到最低可达温度呈指数增长，增幅达9个数量级。这表明这些材料是优异的体绝缘体，为研究关联二维物理提供了理想平台。
引用
@article{arxiv.2302.09996,
title = {Extraordinary Bulk Insulating Behavior in the Strongly Correlated Materials FeSi and FeSb$_2$},
author = {Yun Suk Eo and Keenan Avers and Jarryd A. Horn and Hyeok Yoon and Shanta Saha and Alonso Suarez and Michael S. Fuhrer and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.09996},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 4 figures