关联窄带半导体的热电效应

我们综述了多体效应、其微观起源，以及它们对关联窄带半导体中热电效应的影响。此类材料中的成员——如 FeSi 和 FeSb$_2$——在各种可观测量中表现出不寻常的温度依赖性：在低温下为具有大热电势的绝缘体，而在远小于其能隙尺寸的温度下转变为不良金属。这一绝缘体到金属的跨界伴随着光学电导率中在大能量尺度上的谱权重转移，以及磁化率中从活化行为到类居里-韦斯行为的逐渐转变。我们展示了对这些现象理解的回顾，讨论了与重费米子近藤绝缘体（如 Ce$_3$Bi$_4$Pt$_3$，我们给出了其新结果）的关系，并提出了顺磁绝缘体的一般分类。由此 FeSi 显现为一种轨道选择性近藤绝缘体。聚焦于硅化物、锑化物、方钴矿和 Heusler 化合物等金属间化合物，我们展示了在存在电子关联情况下输运性质真实模拟的成功与挑战。此外，我们指出电子关联可能有助于改善热电性能的新途径。