拓扑近藤绝缘体候选者关联电子系统 SmB6 的表面电子结构
强关联电子
2014-09-16 v2
摘要
近藤绝缘体 SmB6 长期以来已知表现出低温输运异常，其起源备受关注。在此，我们通过结合最先进的激光和同步辐射角分辨光电子能谱技术，独特地获取了异常输运区域的表面电子结构。我们观察到清晰的带隙内态（高达 4 meV），其温度依赖性取决于近藤能隙的形成。此外，我们观察到的带隙内费米面奇偶性与 Kramers 点拓扑相关，它们在近藤杂化区域与二维输运异常共存，以及对热循环的鲁棒性，这些共同提供了迄今为止最强的证据，证明存在受保护的表面金属性，其费米面拓扑与理论预测的拓扑表面费米面 (TSS) 一致。我们对系统表面电子结构的观测为关联电子材料 SmB6 异常近藤基态提供了基本电子参数。
引用
@article{arxiv.1312.1979,
title = {Surface electronic structure of the topological Kondo insulator candidate correlated electron system SmB6},
author = {Madhab Neupane and Nasser Alidoust and SuYang Xu and Takeshi Kondo and Yukiaki Ishida and Dae-Jeong Kim and Chang Liu and Ilya Belopolski and Younjung Jo and Tay-Rong Chang and Horng-Tay Jeng and Tomasz Durakiewicz and Luis Balicas and Hsin Lin and Arun Bansil and Shik Shin and Zachary Fisk and M. Zahid Hasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.1979},
year = {2014}
}
备注
Nature Commun., in press (17 pages, 4 Figs), see related papers at http://arxiv.org/abs/1306.4634 and http://scholar.google.com/citations?user=G1Qpy6MAAAAJ&hl=en