关联 d 电子拓扑 Kondo 绝缘体候选材料 FeSb2 中的金属表面态
强关联电子
2020-07-24 v3
摘要
常规绝缘体的电阻在温度趋于零时发散。4f Kondo 绝缘体（KI）SmB6 中奇特低温电阻率饱和现象激发了人们对关联驱动的拓扑 Kondo 绝缘体（TKI）及其奇异基态的提出。然而，模型 TKI 材料家族的匮乏使得难以从无关细节中剥离关键要素。本文中，我们使用角分辨光电子能谱（ARPES）研究 FeSb2——一种同样呈现低温电阻率饱和的关联 d 电子 KI 候选材料。在 (010) 表面，我们发现丰富的具二维色散的金属态组合。对体能带结构的测量揭示了能带重整化、大的温度依赖能带移动，以及沿某些高对称方向的平谱特征，为强关联提供了谱学证据。我们的观测表明，类似于 SmB6 和 YbB12 中的奇异绝缘态也可能存在于具 d 电子而非 f 电子的系统中。
引用
@article{arxiv.1811.02183,
title = {Metallic surface states in a correlated d-electron topological Kondo insulator candidate FeSb2},
author = {Ke-Jun Xu and Su-Di Chen and Yu He and Junfeng He and Shujie Tang and Chunjing Jia and Eric Yue Ma and Sung-Kwan Mo and Dong-Hui Lu and Makoto Hashimoto and Thomas P. Devereaux and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.02183},
year = {2020}
}