调控拓扑近藤绝缘体 SmB6 中的体导电和表面导电
强关联电子
2015-03-06 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
我们研究了拓扑近藤绝缘体化合物 SmB6 单晶样品的电阻中体态和表面态的贡献，作为晶体厚度和表面电荷密度的函数，后者通过在单个表面上以 Corbino 圆盘几何形状图案化的电极进行离子液体门控来调节。通过分别调节体和表面导电通道，我们为具有绝缘体态和金属表面态的模型提供了确凿证据，其交叉温度仅取决于每个导电通道的相对贡献。表面电导约为 100 e^2/h 且呈电子型，表现出 133 cm^2/V/s 的场效应迁移率和约 2x10^{14}/cm^2 的大载流子密度，这与最近的光发射结果非常吻合。凭借能够将表面电导门控调制超过 25% 的能力，这种方法为在体晶样品上构建门控调控器件的基础研究和应用研究提供了前景。
引用
@article{arxiv.1408.3402,
title = {Tuning bulk and surface conduction in topological Kondo insulator SmB6},
author = {Paul Syers and Dohun Kim and Michael S. Fuhrer and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3402},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures