高压电阻率研究 CeX$_{c}$ (X$_{c}$=S, Se, Te) 中的 Kondo 效应

我们测量了铈单硫族化物 CeS、CeSe 和 CeTe 在高达 8 GPa 高压下的电阻率。研究了反铁磁有序温度 $T_{N}$、晶体场分裂以及 Kondo 效应的 $\ln T$ 异常随压力的变化关系，以覆盖从低压磁有序区到高压 Fermi 液体区的整个区域。$T_{N}$ 随压力升高初始增大，并在高压下如 Doniach 相图所预期那样开始减小。同时，电阻率中的 $\ln T$ 行为增强，表明压力增强了 Kondo 效应。CeX$_{c}$ 的一个特征在于其晶体场分裂以 $-12.2$ K/GPa 的共同速率迅速减小。这导致 $f$ 态简并度增加，并进一步增强了 Kondo 效应。研究表明，$f$ 态的压强依赖简并度是理解 $T_{N}$、Kondo 效应、磁电阻以及电阻率温度依赖中峰结构之压力依赖关系的关键因素。