通过静水压揭示 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pd$_{3}$ 的基态

非中心对称材料 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pd$_{3}$ 作为强关联拓扑材料的候选者备受关注，但其实验基态仍存在争议。通过与典型的 Kondo 绝缘体 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pt$_{3}$ 比较，出现了两种相互矛盾的情形：要么 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pd$_{3}$ 是由自旋轨道耦合驱动的拓扑半金属，要么是具有比其 Pt 对应物更小 Kondo 耦合的 Kondo 绝缘体。在此，我们通过静水压下的电阻率测量确定了 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pd$_{3}$ 的基态，静水压是一种干净的保持对称性的调控参数，它增强杂化但几乎保持自旋轨道耦合。Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pd$_{3}$ 在压力下变得更具绝缘性，这是 Ce 基 Kondo 绝缘材料的特征。其零压下的小能隙随压力呈二次方增大，类似于在系列 Ce$_{3}$Bi$_{4}$(Pt$_{1-x}$Pd$_{x}$)$_{3}$ 中观察到的行为，这表明 Pt 替代和施加压力具有相似效应。我们的结果不仅表明 Kondo 耦合而非自旋轨道耦合是该类材料的主要调控参数，而且确立了 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pd$_{3}$ 具有窄能隙 Kondo 绝缘基态。