典型f电子关联系统Ce中的拓扑相变
强关联电子
2019-12-04 v1 材料科学
摘要
典型的f电子Kondo晶格系统Ce表现出众所周知的同构型转变，即所谓的γ-α转变，并伴随巨大的体积坍缩。最有趣的是，我们发现元素Ce中在γ-α转变同时发生了拓扑相变。基于动力学平均场理论与密度泛函理论相结合的方法，我们揭示了α-Ce中非平庸拓扑是由f-d能带反转驱动的，这源于费米能级附近相干4f能带的形成。我们捕捉到了4f准粒子能带的形成，该能带导致了Lifshitz转变以及跨越相边界的非平庸Z2拓扑的建立。这一发现为拓扑Kondo系统提供了“拓扑开关”的概念。Ce中的“开”与“关”开关旋钮具有多功能性，因为它在室温下由可用压力（约1 GPa）控制。
引用
@article{arxiv.1906.06823,
title = {Topological Phase Transition in an Archetypal f-electron Correlated System: Ce},
author = {Junwon Kim and Dongchoon Ryu and Chang-Jong Kang and Kyoo Kim and Hongchul Choi and T. -S. Nam and B. I. Min},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.06823},
year = {2019}
}