CeRh$_6$Ge$_4$中压力依赖的电子结构
强关联电子
2020-12-01 v1 材料科学
摘要
利用最先进的动力学平均场理论结合密度泛函理论方法，我们对铁磁量子临界材料候选者CeRhGe的温度和压力依赖电子结构进行了系统研究。在-3.9 GPa和-8.3 GPa下，Ce-4占据数变化、局域磁化率和低频电子自能行为表明Ce-4电子处于局域态；而在6.5 GPa和13.1 GPa下，这些量表明Ce-4电子处于巡游态。与相干Kondo屏蔽相关的特征温度在卸去外压至约0.8 GPa时逐渐抑制到0，表明一个局域量子临界点。有趣的是，动量分辨谱函数显示即使在局域态一侧，Ce-4与传导电子之间沿-A方向仍存在高度各向异性的依赖杂化，导致其间产生杂化能隙。计算预测在局域磁矩侧有8个费米面片，在Kondo相干态下有6个片。最后，0.8 GPa下的自能可很好地由边际费米液体形式拟合，给出线性温度依赖的电阻率。
引用
@article{arxiv.2011.14256,
title = {Pressure Dependent Electronic Structure in CeRh$_6$Ge$_4$},
author = {Chao Cao and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.14256},
year = {2020}
}