CeRhSi$_{3}$中近藤屏蔽Kramers双重态的弛豫

CeRhSi$_{3}$是一种加压下的超导体，与弱反铁磁相共存，其特征为在$\vec{q}_{0}$=($\sim$ 0.2, 0, 0.5)处的布拉格峰（N. Aso et al. J. Magn. Magn. Mater. 310, 602 (2007)）。该化合物也是一种重费米子材料，具有大的比热系数$\gamma$=110 mJ $\cdot$ mol$^{-1}$ $\cdot$ K$^{-2}$和高的近藤温度$T_{K}$=50 K，表明CeRhSi$_{3}$处于强近藤屏蔽态。我们应用高分辨率中子谱学来研究常压低温下正常相中的磁涨落。我们测得了以$\vec{Q}$=(0, 0, 2)位置为中心的 commensurate 动态响应，其随温度降低和/或能量转移逐渐演化到H$\sim$ 0.2。该响应在动量和能量上均展宽，且不类似于绝缘磁体中电子局域化时所发现的尖锐自旋波激发。我们利用随机相位近似将弛豫的Ce$^{3+}$基态Kramers双重态与类近藤动态响应耦合，用一个启发式模型对激发谱和温度依赖进行参数化。借助$ab$面内的Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida (RKKY)交换相互作用和增大的单点磁化率，我们可以定性重现CeRhSi$_{3}$的中子谱结果，尤其是 commensurate 与 incommensurate 位置处散射之间的权衡。我们提出CeRhSi$_{3}$中的反铁磁相由弱关联的弛豫局域Kramers双重态驱动，且常压下的CeRhSi$_{3}$处于Rudderman-Kittel-Yosida反铁磁态与静态磁性基本缺失的近藤屏蔽相的边界上。