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CeNi9In2 的电子结构与输运性质

强关联电子 2015-04-10 v1

摘要

我们研究了被认为是混合价(MV)体系的 CeNi9In2 化合物。依据 Freimuth 针对 4f 壳层不稳定体系提出的模型,分析了电阻率随温度的变化。在低温下,电阻率依赖性与 Fermi 液体态一致,并具有电子-声子相互作用特征贡献。价带的紫外光电子能谱(UPS)研究未在低至 14 K 时显现 Kondo 峰。使用 Ce 4f 电子的高和低光电离截面光子能量所得光谱的差异表明,4f 态主要位于 Fermi 能级附近。与 f5/21f_{5/2}^1f7/21f_{7/2}^1 终态相关的峰无法分辨,但在 -0.3 eV 与 Fermi 能级之间形成平台。对铈 3d 能级进行了 X 射线光电子能谱(XPS)研究。在 Gunnarsson-Schönhammer 理论框架内对 XPS 光谱的分析得出 104 meV 的杂化参数和非整数 f 能级占据,接近 3。采用全势局域轨道(FPLO)方法实现了分态密度的计算。计算证实价带由 Ni 3d 态主导,且除了 f 电子行为外,与实验总体一致。

关键词

引用

@article{arxiv.1504.02415,
  title  = {Electronic structure and transport properties of CeNi9In2},
  author = {R. Kurleto and P. Starowicz and J. Goraus and S. Baran and Yu. Tyvanchuk and Ya. M. Kalychak and A. Szytuła},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1504.02415},
  year   = {2015}
}

备注

10 pages, 5 figures