CeMo2Si2C中的价态涨落
材料科学
2014-05-06 v1 强关联电子
摘要
我们报道了通过磁化率χ(T)、比热C(T)、电阻率ρ(T)和X射线吸收光谱研究的CeMo2Si2C中Ce的价态涨落。粉末X射线衍射显示CeMo2Si2C结晶为CeCr2Si2C型层状四方晶体结构（空间群P4/mmm）。CeMo2Si2C的晶胞体积偏离预期的镧系收缩，表明该化合物中Ce离子处于非三价态。观察到的磁化率的弱温度依赖性及其低值表明Ce离子处于价态涨落状态。由X射线吸收光谱测量确定的CeMo2Si2C中形式LIII Ce价态<ν̃> = 3.11，远低于四价Ce化合物CeO2中的值<ν̃> ≃ 3.4。比热的温度依赖性在低至1.8 K时未显示任何异常，排除了系统中的任何磁有序。从比热数据获得的索末菲系数为γ = 23.4 mJ/mol·K²。电阻率在35 K以下的低温范围内遵循T²行为，证实了费米液体行为。因此，Kadowaki-Wood比A/γ²和Sommerfeld-Wilson比χ(0)/γ都在费米液体系统的预期范围内。为了获得电子态的一些信息，我们在密度泛函理论框架内计算了能带结构，尽管这种方法不能精确处理4f电子。穿过费米能级的非f电子态主要具有Mo 4d特征。它们提供了与4f态强杂化的态，导致中间价态。
引用
@article{arxiv.1303.2801,
title = {Valence Fluctuation in CeMo2Si2C},
author = {U. B. Paramanik and Anupam and U. Burkhard and R. Prasad and C. Geibel and Z. Hossain},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2801},
year = {2014}
}
备注
18 pages, 10 figures Submitted to Journal of Alloys and Compounds