CeCoSi 中压力诱导的 Ce-4f 电子结构相变与可能的价态不稳定性
强关联电子
2022-06-08 v1
摘要
对四方化合物 CeCoSi 在压力下进行了 X 射线粉末衍射和电阻率测量，以阐明压力诱导结构相变的相边界以及 4 电子态的变化。温度-压力相图已由布拉格峰的移动和电阻率中的反常行为确定。临界压力在 300 K 时为 4.9 GPa，在 10 K 时降至 3.6 GPa。 的降低不仅源于晶胞体积的减小，也源于冷却引起的各向异性收缩。当跨越边界进入高压相时，电阻率出现显著下降，呈现出金属性的温度依赖关系。本研究结果强烈表明，该结构相变可归因于 Ce-4f 电子的价态不稳定性。
引用
@article{arxiv.2203.16817,
title = {Structural Phase Transition and Possible Valence Instability of Ce$-4f$ Electron Induced by Pressure in CeCoSi},
author = {Yukihiro Kawamura and Kakeru Ikeda and Alisha Nurshafiqah Binti Amat Dalan and Junichi Hayashi and Keiki Takeda and Chihiro Sekine and Takeshi Matsumura and Jun Gouchi and Yoshiya Uwatoko and Takahiro Tomita and Hiroki Takahashi and Hiroshi Tanida},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.16817},
year = {2022}
}
备注
7 pages, 5 figures, submitted to J. Phys. Soc. Jpn