压力诱导的 Ta$_4$Pd$_3$Te$_{16}$ 电子态变化
超导电性
2017-05-01 v1
摘要
我们展示了在高达 16.4 kbar 压力下 TaPdTe 的超导转变温度、电阻率、磁阻率以及上临界场温度依赖性的测量结果。所有测量的性质在 kbar 压力范围内均存在异常，具体表现为 和上临界场 出现极大值，而低温正常态电阻率出现极小值。定性地看，将费米能级处的态密度作为主导参数即可解释这些数据。
引用
@article{arxiv.1703.01359,
title = {Pressure induced change in the electronic state of Ta$_4$Pd$_3$Te$_{16}$},
author = {Na Hyun Jo and Li Xiang and Udhara S. Kaluarachchi and Morgan Masters and Kathryn Neilson and Savannah S. Downing and Paul C. Canfield and Sergey L. Bud'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.01359},
year = {2017}
}