CeCoSi隐藏有序相中电子结构修饰的观测

无局域反演对称晶体结构（$P4/nmm$）的 CeCoSi 在反铁磁转变温度（$T_{\rm N}=9.4$ K）之上的约 12 K（$T_0$）处表现出起源未知的相变（隐藏有序：HO）。利用高精度光学反射谱研究了跨越 $T_0$ 的电子结构变化。光学谱在 $T_0$ 之上由典型的金属性行为变为 $T_0$ 之下约 15 meV 处的类能隙结构。该类能隙结构在跨越 $T_{\rm N}$ 时保持不变，仅因磁涨落的抑制导致载流子的 Drude 分量变窄。该结果表明，在 HO 相中，电子结构由 $T_0$ 之上的典型金属电子结构轻微变为费米能级附近具有能隙的结构。得出结论：HO 相中电子结构的变化源于电子/价态不稳定性。