中文

CeRu2Al10 电荷不稳定性的光学研究及与 CeOs2Al10 和 CeFe2Al10 的比较

强关联电子 2015-05-30 v1

摘要

我们利用光学电导谱、Ce 3d X 射线光电子能谱和能带计算,研究了导致 CeRu2_2Al10_{10} 在异常高温 T0T_0 = 28 K 下发生反铁磁转变的各向异性电子结构。研究发现,acac 平面内的电子结构为 Kondo 半导体特征,而沿 b 轴的电子结构在 32 K 以下(略高于 T0T_0)存在嵌套。这些特征与 CeOs2_2Al10_{10} 相同 [S. Kimura {\it et al.}, Phys. Rev. Lett. 106, 056404 (2011).]。CeRu2_2Al10_{10} 和 CeOs2_2Al10_{10} 中传导电子与 Ce 的 4f4f 电子之间的 cc-ff 杂化强度弱于 CeFe2_2Al10_{10},且不表现出磁有序。这些结果表明,沿 b 轴的一维弱 cc-ff 杂化与 acac 平面内的二维强杂化相结合的电子结构导致了电荷密度波 (CDW) 不稳定性,随后 CDW 态诱导了磁有序。

关键词

引用

@article{arxiv.1108.4815,
  title  = {Optical study of charge instability in CeRu2Al10 in comparison with CeOs2Al10 and CeFe2Al10},
  author = {Shin-ichi Kimura and Takuya Iizuka and Hidetoshi Miyazaki and Tetsuya Hajiri and Masaharu Matsunami and Tatsuya Mori and Akinori Irizawa and Yuji Muro and Junpei Kajino and Toshiro Takabatake},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4815},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 7 figures