CeOs2Al10 中轻电子掺杂引起的磁基态变化
强关联电子
2015-06-16 v1
摘要
通过高分辨率中子衍射和磁化测量，研究了 CeOs2Al10 中 Ir 取代 Os 的效应，该化合物具有异常高的 Neel 温度 T~28.5K。少量的 Ir（约 8%）导致 Ce 亚晶格的磁结构发生显著变化。新的磁基态由单离子各向异性控制，意味着 Ce 磁矩沿 a 轴呈反铁磁排列，这与顺磁磁化率的各向异性预期一致。有序磁矩值为 0.92(1) mu_B，远大于未掺杂化合物，而转变温度降低至 21K。将观察到的现象与最近研究的表现出类似行为的 CeRu1.9Rh0.1Al10 系统 [A. Kondo et al., J. Phys. Soc. Jpn. 82, 054709 (2013)] 进行比较，强烈表明电子掺杂是基态变化的主要起源。这为探索 Ce(Ru/Os)2Al10 化合物的反常磁性质提供了一种新途径。
引用
@article{arxiv.1306.5269,
title = {Change of magnetic ground state by light electron-doping in CeOs2Al10},
author = {D. D. Khalyavin and D. T. Adroja and P. Manuel and J. Kawabata and K. Umeo and T. Takabatake and A. M. Strydom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.5269},
year = {2015}
}