Ce2MIn8 (M = Rh 和 Ir) 重费米子化合物中的Cd掺杂效应
强关联电子
2014-07-10 v1
摘要
本文研究了Cd掺杂的 Ce2MIn8 (M = Rh 和 Ir) 单晶的低温磁性质。随温度变化的磁化率、热容和电阻率测量实验表明，Cd掺杂将 Ce2RhIn8-xCdx 的反铁磁 (AFM) 有序温度从 TN = 2.8 K (x = 0) 提高到 TN = 4.8 K (x = 0.21)，并在 Ce2IrIn8-xCdx 中诱导了 TN = 3.8 K (x = 0.21) 的长程 AFM 有序。此外，X射线和中子磁散射研究表明，Cd掺杂样品在 TN 以下呈现具有传播矢量 (1/2,1/2,0) 的公度反铁磁结构。这两种化合物的解析磁结构表明，Cd掺杂倾向于将有序磁矩的方向旋转至 ab 平面。该结果表明，Cd掺杂影响了 Ce3+ 基态单离子各向异性，改变了 Ce3+ 位的晶态电场 (CEF) 参数。在电阻率测量中也发现了Cd掺杂诱导 CEF 演化的迹象。将我们的结果与Cd掺杂对相关化合物 CeMIn5 (M = Co, Rh 和 Ir) 的一般效应进行比较，证实了Cd掺杂诱导的电子调节是促进这些化合物中 AFM 有序的主要效应的论断。
引用
@article{arxiv.0912.4467,
title = {Cd-doping effects in Ce2MIn8 (M = Rh and Ir) heavy fermion compounds},
author = {C. Adriano and C. Giles and E. M. Bittar and L. N. Coelho and F. de Bergevin and C. Mazzoli and L. Paolasini and W. Ratcliff and R. Bindel and J. W. Lynn and Z. Fisk and P. G. Pagliuso},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4467},
year = {2014}
}