C掺杂Mn5Ge3中的铁磁共振与磁阻尼
材料科学
2016-03-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用铁磁共振（FMR）研究了生长在Ge(111)上的碳掺杂Mn5Ge3（C和C）薄膜的静态和动态磁性。磁各向异性的温度依赖性显示，由于大的形状贡献，在80K时垂直磁晶贡献增加且易轴位于面内。我们发现样品显示出较小的FMR线宽（对应于本征磁阻尼参数 =0.005），这是自旋弛豫的度量，并与材料的磁性和结构质量直接相关。在垂直平面几何下，所有样品的FMR线宽在约200K处呈现最小值，这似乎与C掺杂无关。已确定磁弛豫参数，并指出双磁子散射是主要的外在贡献。我们观察到在低温下Mn5Ge3C0.2中来自散射中心的主要贡献发生变化，这可能与线宽最小值有关。
引用
@article{arxiv.1603.00190,
title = {Ferromagnetic resonance and magnetic damping in C-doped Mn5Ge3},
author = {C-E Dutoit and V. O. Dolocan and M. D. Kuz'min and L. Michez and M. Petit and V. Le Thanh and B. Pigeau and S. Bertaina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00190},
year = {2016}
}