Rh 掺杂诱导近藤半导体 CeRu$_2$Al$_{10}$中的磁不稳定性
强关联电子
2013-09-16 v1
摘要
利用缪子自旋弛豫方法研究了 Rh 掺杂近藤半导体 CeRuAl [Ce(RuRh)Al] 的磁基态。在 = 0 的样品中观察到具有两个频率的缪子自旋进动，而在 = 0.05 和 0.1 的样品中仅存在一个频率，这归因于缪子位点处宽泛的静磁场分布。缪子位点处的内场从 = 0 样品中的约 180 G 增强至 Rh 掺杂样品中的约 800 G，支持了宏观测量所建议的自旋翻转跃迁，并确定了不同磁基态的边界位于 = 0.03 附近。少量 Rh 掺杂（3%）引起的磁基态剧烈变化表明，CeRuAl中的磁结构并不稳固，容易通过电子掺杂等外部微扰进行调控。CeRuAl中内场的反常温度依赖性被认为归因于缪子与传导电子之间的超精细相互作用。
引用
@article{arxiv.1308.3285,
title = {Magnetic instability induced by Rh-doping in Kondo semiconductor CeRu$_2$Al$_{10}$},
author = {Hanjie Guo and Hiroshi Tanida and Riki Kobayashi and Ikuto Kawasaki and Masafumi Sera and Takashi Nishioka and Masahiro Matsumura and Isao Watanabe and Zhu-an Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.3285},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 8 figures, 1 table