URu$_2$Si$_2$等电子掺杂中的反铁磁性及隐序

M. N. Wilson; T. J. Williams; Y. -P. Cai; A. M. Hallas; T. Medina; T. J. Munsie; S. C. Cheung; B. A. Frandsen; L. Liu; Y. J. Uemura; G. M. Luke

doi:10.1103/PhysRevB.93.064402

URu$_2$Si$_2$等电子掺杂中的反铁磁性及隐序

强关联电子 2016-02-02 v1

作者: M. N. Wilson , T. J. Williams , Y. -P. Cai , A. M. Hallas , T. Medina , T. J. Munsie , S. C. Cheung , B. A. Frandsen , L. Liu , Y. J. Uemura , G. M. Luke

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摘要

我们展示了掺杂水平高达50%的等电子掺杂URu $_{2-x}$ T $_x$ Si $_2$ (T = Fe, Os)单晶的缪子自旋旋转( $\mu$ SR)与磁化率测量。零场(ZF) $\mu$ SR测量显示出长寿命振荡，表明对于Os和Fe掺杂剂，反铁磁态均存在直至低掺杂水平。测量进一步显示Fe和Os两者的内场随掺杂增加。将磁化率测量得到的局域磁矩-杂化交叉温度与我们的磁转变温度进行比较表明，杂化的变化而非仅仅是化学压力，在驱动磁有序随掺杂演化中起着重要作用。

关键词

URu$_2$Si$_2$ 等电子掺杂反铁磁性隐序缪子自旋旋转磁化率杂化

引用

@article{arxiv.1512.01512,
  title  = {Antiferromagnetism and Hidden Order in Isoelectronic Doping of URu$_2$Si$_2$},
  author = {M. N. Wilson and T. J. Williams and Y. -P. Cai and A. M. Hallas and T. Medina and T. J. Munsie and S. C. Cheung and B. A. Frandsen and L. Liu and Y. J. Uemura and G. M. Luke},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01512},
  year   = {2016}
}

备注

10 pages, 8 figures

URu$_2$Si$_2$等电子掺杂中的反铁磁性及隐序

摘要

关键词

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