利用光电导研究 Kondo 半导体 CeFe2Al10 的各向异性电子结构

我们报道了 CeFe$_2$Al$_{10}$ 的温度依赖偏振光电导率 [$\sigma(\omega)$] 谱，该材料是 CeRu$_2$Al$_{10}$ 和 CeOs$_2$Al$_{10}$ 的参考材料，后两者在 28 K 处具有反常磁转变。沿 $b$ 轴的 $\sigma(\omega)$ 谱与 $ac$ 面内的差异很大，表明该材料具有各向异性电子结构。在低温下，沿所有轴，由导带与局域 $4f$ 态之间杂化能带的光学跃迁（即 $c$-$f$ 杂化）引起的肩状结构出现在 55 meV 处。然而，能隙开启温度和准粒子 Drude 权重的出现温度表现出强烈的各向异性，表明存在各向异性 Kondo 温度。电子结构和 Kondo 温度的强各向异性被认为与 CeRu$_2$Al$_{10}$ 和 CeOs$_2$Al$_{10}$ 中的反常磁相变有关。