磁相变引起的 CeBi 电子结构变化
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
观察了 CeBi 电子结构随温度的变化，这种变化源于两种亚磁性相变，基于光导率 () 的研究。 谱在 25 K 和 11 K 处分别连续和离散地发生变化。在这两个温度之间，谱图中的两个峰随温度变化快速向相反的能量方向位移。通过与能带计算结果以及理论 谱的比较，解释了这种峰位位移：Bi 能带的能量位移是由于 Ce 与 Bi 态之间的混合效应所致。从参数磁态发生的单层亚磁性 () 相变被推定为二阶相变。然而，11 K 处 谱图的显著变化表明，电子结构的变化源于从单层 () 亚磁性相变为双层相变，其类似于一阶相变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0406544,
title = {Change of Electronic Structure Induced by Magnetic Transitions in CeBi},
author = {Shin-ichi Kimura and Mitsuru Okuno and Hideaki Kitazawa and Fumihiko Ishiyama and Osamu Sakai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406544},
year = {2009}
}
备注
4 pages, to be published in J. Phys. Soc. Jpn. 73 Aug. (2004)