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NiS$_{1-x}$Se$_x$在相变过程中的电子结构

强关联电子 2009-10-31 v1

作者: D. D. Sarma , S. R. Krishnakumar , Nirmala Chandrasekharan , E. Weschke , C. Schüßler-Langeheine , L. Kilian , G. Kaindl

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摘要

我们报道了NiS(1-x)Se(x)在所谓的金属-绝缘体转变过程中，作为温度和组分的函数的高度分辨光电子谱。目前的结果令人信服地表明，低温反铁磁相是金属性的，在E $_F$ 处态密度降低。这种降低可能是由于反铁磁有序引起的布里渊区特定方向上的能隙打开。

关键词

NiSSe 金属-绝缘体转变光电子谱电子结构反铁磁性态密度能隙

引用

@article{arxiv.cond-mat/9803110,
  title  = {Electronic structure of NiS$_{1-x}$Se$_x$ across the phase transition},
  author = {D. D. Sarma and S. R. Krishnakumar and Nirmala Chandrasekharan and E. Weschke and C. Schüßler-Langeheine and L. Kilian and G. Kaindl},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9803110},
  year   = {2009}
}

备注

Revtex, 4 pages, 3 postscript figures