SmO$_{0.85}$F$_{0.15}$FeAs 的角度积分光发射研究
超导电性
2008-05-31 v1 强关联电子
摘要
通过角度积分光发射谱研究了新型超导体 SmOFFeAs () 的电子结构。我们的数据显示在费米能级附近有一个尖锐特征，并且在 0.5 eV 至 3 eV 结合能之间态密度分布相对平坦，这与考虑反铁磁基态的能带结构计算结果最为吻合。在低于超导转变温度 12 Kelvin 时未观察到明显的能隙打开，表明布里渊区中存在大的无能隙区域。
引用
@article{arxiv.0803.4328,
title = {Angle integrated photoemission study of SmO$_{0.85}$F$_{0.15}$FeAs},
author = {H. W. Ou and J. F. Zhao and Y. Zhang and D. W. Shen and B. Zhou and L. X. Yang and C. He and F. Chen and M. Xu and T. Wu and X. H. Chen and Y. Chen and D. L. Feng},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.4328},
year = {2008}
}