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FeS 的电子结构

超导电性 2017-06-06 v1

摘要

本文报道了近期发现的铁基超导体 FeS 的电子结构。我们的高分辨率角分辨光电子能谱研究显示,在布里渊区中心和角落分别存在两个类空穴(α\alphaβ\beta)和两个类电子(η\etaδ\delta)费米口袋,所有这些口袋沿 kzk_z 方向均表现出中等程度的色散。然而,未观察到第三个类空穴带(γ\gamma),该带根据能带计算预期出现在区中心,并且在铁基超导体中普遍存在。由于该带具有最高的重整化因子,且已知最易受缺陷影响,我们数据中其缺失很可能源于缺陷散射——然而,在 γ\gamma 带中缺乏相干准粒子的情况下,超导电性依然可以存在。这可能有助于解决当前关于 FeS 超导能隙结构的争议。此外,通过比较包括 FeS、FeSe1x_{1-x}Sx_x、FeSe 和 FeSe1x_{1-x}Tex_x 在内的各种铁硫族化合物的 β\beta 带宽,我们发现 FeS 的 β\beta 带宽最宽。然而,与能带计算相比,FeS 的能带重整化因子仍然相当大,这表明存在可观的电子关联。这解释了为何非常规超导电性能在 FeSe1x_{1-x}Tex_{x} 和 FeSe1x_{1-x}Sx_{x} 中如此广泛的等价取代范围内持续存在。

关键词

引用

@article{arxiv.1703.08682,
  title  = {Electronic structure of FeS},
  author = {J. Miao and X. H. Niu and D. F. Xu and Q. Yao and Q. Y. Chen and T. P. Ying and S. Y. Li and Y. F. Fang and J. C. Zhang and S. Ideta and K. Tanaka and B. P. Xie and D. L. Feng and Fei Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1703.08682},
  year   = {2017}
}

备注

10 pages, 5 figures