附加 Se 层对铁基超导体 FeSe/SrTiO$_3$ 电子结构的影响
超导电性
2019-12-10 v1 强关联电子
摘要
我们使用密度泛函理论研究了沉积在 SrTiO 衬底上的单层 FeSe 的结构与能带结构，二者之间夹有附加的 Se 层。SrTiO 的顶端由含氧空位与不含氧空位的双层 TiO 构成。我们考虑了双层 TiO 上方具有不同附加 Se 原子排布的数种结构。找到了平衡结构并获得了它们的能带结构。在布里渊区的 点附近，空穴费米面口袋持续存在，并且额外出现一个电子口袋。因此，无论是附加 Se 层的存在还是双层 TiO 中的氧空位，都不会导致 点附近的空穴能带沉至费米能级以下。文中讨论了考虑强电子关联的必要性。
引用
@article{arxiv.1907.10643,
title = {Effect of the additional Se layer on the electronic structure of iron-based superconductor FeSe/SrTiO$_3$},
author = {L. V. Tikhonova and M. M. Korshunov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.10643},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 3 figures