SrTiO$_{3}$上的反铁磁FeSe单层：电荷掺杂与电场效应
材料科学
2013-02-14 v1 超导电性
摘要
我们从理论上研究了以TiO终止的SrTiO(001)表面上反铁磁（AFM）FeSe单层的电子结构。结果表明，布里渊区（BZ）中心附近费米面的显著消失可以通过反铁磁（AFM）相得到很好的解释。我们证明该系统存在从SrTiO(001)衬底到FeSe单层的可观电荷转移，从而具有一个自建电场。BZ中心附近的FeSe单层能带结构对电荷掺杂敏感，而BZ角处的自旋分辨能带在垂直电场作用下发生畸变并趋于平缓。我们提出了一个紧束缚模型哈密顿量以将这些关键因素纳入考量。我们还表明，该复合结构是一个理想的电子-空穴双分子层系统，电子和空穴分别形成于FeSe单层和TiO表面层中。
引用
@article{arxiv.1302.2996,
title = {Antifferomagnetic FeSe monolayer on SiTiO$_{3}$: The charge doping and electric field effects},
author = {Fawei Zheng and Zhigang Wang and Wei Kang and Ping Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2996},
year = {2013}
}
备注
12 pages, 6 figures